[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201480027683.8 | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN105210200B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·施密特;茱莉亚·格勒塞尔;理查德·弗勒特尔;马库斯·布勒尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法包括用于提供衬底的步骤、用于沉积牺牲层的步骤、用于沉积功能性的半导体层序列的步骤、用于横向结构化功能性的半导体层序列的步骤和用于在湿热氧化工艺中氧化牺牲层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供衬底(100)；‑沉积缓冲层(110)；‑沉积牺牲层(120)；‑沉积功能性的半导体层序列(130)；‑将所述功能性的半导体层序列(130)横向结构化，其中所述横向结构化包括将沟槽(170)布设在所述功能性的半导体层序列(130)中，其中所述沟槽(170)将所述功能性的半导体层序列(130)和所述牺牲层(120)完全分开并且终止在所述缓冲层(110)中，所述缓冲层用作为刻蚀停止层；‑在湿热氧化工艺中氧化所述牺牲层(120)。
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