[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法，所述方法具有如下步骤：

-提供衬底(100)；

-沉积缓冲层(110)；

-沉积牺牲层(120)；

-沉积功能性的半导体层序列(130)；

-将所述功能性的半导体层序列(130)横向结构化，其中所述横向结构化包括将沟槽(170)布设在所述功能性的半导体层序列(130)中，其中所述沟槽(170)将所述功能性的半导体层序列(130)和所述牺牲层(120)完全分开并且终止在所述缓冲层(110)中，所述缓冲层用作为刻蚀停止层；

-在湿热氧化工艺中氧化所述牺牲层(120)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

-所述衬底(100)具有GaAs或由GaAs构成，

-所述牺牲层(120)具有Al_xGa_1-xAs或由其构成，其中铝与镓之比大于80比20，以及

-在氧化所述牺牲层(120)期间形成AlO_xH_y。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

-所述铝与镓之比大于93比7。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中所述牺牲层(120)具有AlAs或者由其构成。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中所述牺牲层(120)具有Al_xGa_1-xAs或由其构成，

其中铝与镓之比大于80比20。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中所述铝与镓之比大于93比7。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中在氧化所述牺牲层(120)期间形成AlO_xH_y。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中在氧化所述牺牲层(120)之后，执行如下另外的步骤：

-将所述功能性的半导体层序列(130)与所述衬底(100)分开。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中将所述功能性的半导体层序列(130)与所述衬底(100)分开包括借助于刻蚀溶液移除在氧化所述牺牲层(120)时形成的氧化物(125)。

10.根据权利要求8所述的方法，

其中使用具有氢氟酸的刻蚀溶液。

11.根据权利要求8所述的方法，

其中在将所述功能性的半导体层序列(130)与所述衬底(100)分开期间将剪力施加到所述功能性的半导体层序列(130)上。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中再次使用所述衬底(100)。

13.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中所述功能性的半导体层序列(130)与所述衬底(100)的分开是没有刻蚀的并且纯机械地进行。

14.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中执行下述另外的步骤：

-将所述功能性的半导体层序列(130)键合到载体(180)上。

15.根据权利要求14所述的方法，

其中在氧化所述牺牲层(120)之前将所述功能性的半导体层序列(130)键合到所述载体(180)上。

16.根据权利要求14所述的方法，

其中在氧化所述牺牲层(120)之后将所述功能性的半导体层序列(130)键合到所述载体(180)上。

17.根据权利要求14所述的方法，

其中所述载体(180)具有硅或锗。

18.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中所述衬底(100)具有GaAs或由GaAs构成。