[发明专利]用于半导体处理腔室的经涂布的衬里组件在审
| 申请号： | 201480026803.2 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105210173A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·M·拉内什;萨瑟施·库珀奥;凯拉什·基兰·帕塔雷;保罗·布里尔哈特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开的实施方式关于用于半导体处理腔室中的经涂布的衬里组件。在一个实施方式中，一种用于半导体处理腔室中的衬里组件包括：衬里主体，该衬里主体具有圆柱环形状；以及涂层，该涂层涂覆该衬里主体，其中该涂层在介于约200nm与约5000nm之间的一个或更多个波长下是不透明的。在另一个实施方式中，一种用于沉积介电层于基板上的设备包括：处理腔室，该处理腔室具有内部空间，该内部空间界定于该处理腔室的腔室主体中；衬里组件，该衬里组件设置于该处理腔室中，其中该衬里组件进一步包括：衬里主体，该衬里主体具有圆柱环形状；以及涂层，该涂层涂覆该衬里主体的外壁并且面向该腔室主体，其中该涂层在介于约200nm与约5000nm之间的一个或更多个波长下是不透明的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 处理 经涂布 衬里 组件 | ||
【主权项】：
一种用于半导体处理腔室中的衬里组件，所述衬里组件包括：衬里主体，所述衬里主体具有圆柱环形状；及涂层，所述涂层设置于所述衬里主体上，其中所述涂层在介于约200nm与约5000nm之间的一个或更多个波长下是不透明的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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