[发明专利]清洗液组合物有效
| 申请号： | 201480021935.6 | 申请日： | 2014-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN105122429B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 守田菊惠;堀家千代子;深谷启介;大和田拓央 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D3/28;C11D3/30;C11D7/32;C11D7/36;C11D17/08 |
| 代理公司： | 31266 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈详;崔佳佳<国际申请>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供半导体元件等电子器件的制造工序中，对实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗有用的清洗液组合物。本发明涉及用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮原子的杂环式单环芳香族化合物，氢离子浓度(pH)为8～11。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 组合 | ||
【主权项】：
1.用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的选自除氢氧化四甲基铵之外的季铵和烷醇胺的化合物、以及1种或2种以上的选自组胺、组氨酸、3-氨基-5-羟基吡唑的化合物、以及次氮基三(亚甲基膦酸)(NTMP)或其盐，氢离子浓度(pH)为8～11。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
