[发明专利]清洗液组合物

权利要求书

1.用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的选自除氢氧化四甲基铵之外的季铵和烷醇胺的化合物、以及1种或2种以上的选自组胺、组氨酸、3-氨基-5-羟基吡唑的化合物、以及次氮基三(亚甲基膦酸)(NTMP)或其盐，氢离子浓度(pH)为8～11。

2.如权利要求1所述的清洗液组合物，其中，具有Cu布线的基板为化学机械研磨(CMP)后得到的基板。

3.如权利要求1中的所述的清洗液组合物，其中，不含选自异抗坏血酸、抗坏血酸衍生物和没食子酸的1种或2种以上。

4.如权利要求1中所述的清洗液组合物，其中，所述的季铵化合物为氢氧化三甲基-2-羟基乙基铵。

5.如权利要求1中所述的清洗液组合物，其中，还包含1种或2种以上的阴离子性表面活性剂或非离子性表面活性剂。

6.权利要求1～5中的任一项所述的清洗液组合物用的原液组合物，其中，所述原液组合物通过稀释至10倍～1000倍来用于获得所述清洗液组合物。

7.半导体基板的制造方法，其中，包括使权利要求1～5中的任一项所述的清洗液组合物与具有Cu布线的基板接触的工序。

8.如权利要求7所述的半导体基板的制造方法，其中，在与具有Cu布线的基板接触的工序之前，包括对具有Cu布线的基板进行化学机械研磨(CMP)的工序。

9.如权利要求7或8所述的半导体基板的制造方法，其中，与具有Cu布线的基板接触的工序为对具有Cu布线的基板进行清洗的工序。

10.溶解含Cu的有机残渣的方法，其中，包括使清洗液组合物与含Cu的有机残渣接触的工序，所述清洗液组合物包含1种或2种以上的选自除氢氧化四甲基铵之外的季铵和烷醇胺的化合物、以及1种或2种以上的选自组胺、组氨酸、3-氨基-5-羟基吡唑的化合物、以及次氮基三(亚甲基膦酸)(NTMP)或其盐，氢离子浓度(pH)为8～11。

11.如权利要求10所述的方法，其中，含Cu的有机残渣包含Cu-苯并三唑(BTA)复合物。