[发明专利]在氮化镓器件和集成电路中制备自对准隔离的方法

摘要

形成具有绝源区域的增强型氮化镓异质结场效应晶体管，自对准接触开口或金属掩膜窗口。有利地，所述方法不需要专用隔离掩膜以及相关的处理步骤，因此减少制造成本。所述方法包括提供EPI结构包括基底、缓冲层、氮化镓层以及阻挡层。介质层形成在所述阻挡层之上，开口形成于所述介质层作为器件接触开口和隔离接触开口。

主权项

1.形成具有至少两个晶体管器件的集成电路的方法，所述方法包括：在基底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成氮化镓层；在所述氮化镓层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成介质层；在所述介质层形成至少一用于所述至少两个晶体管器件中的每一个的器件接触开口以及在所述至少两个晶体管器件之间的所述介质层中形成隔离接触开口；在所述介质层、所述器件接触开口和所述隔离接触开口上形成金属层；在每一个所述器件接触开口上形成光刻胶膜，所述光刻胶膜限定金属掩膜窗口；蚀刻所述金属层；蚀刻部分所述阻挡层和所述氮化镓层以形成隔离区域，在所述隔离区域所述金属掩膜窗口和所述隔离接触开口重叠；其中蚀刻部分所述缓冲层和所述氮化镓层在蚀刻所述金属层的同一步骤中进行。