[发明专利]在氮化镓器件和集成电路中制备自对准隔离的方法

权利要求书

1.形成具有至少两个晶体管器件的集成电路的方法，所述方法包括：

在基底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成氮化镓层；

在所述氮化镓层上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成介质层；

在所述介质层形成至少一用于所述至少两个晶体管器件中的每一个的器件接触开口以及在所述至少两个晶体管器件之间的所述介质层中形成隔离接触开口；

在所述介质层、所述器件接触开口和所述隔离接触开口上形成金属层；

在每一个所述器件接触开口上形成光刻胶膜，所述光刻胶膜限定金属掩膜窗口；

蚀刻所述金属层；

蚀刻部分所述阻挡层和所述氮化镓层以形成隔离区域，在所述隔离区域所述金属掩膜窗口和所述隔离接触开口重叠；

其中蚀刻部分所述缓冲层和所述氮化镓层在蚀刻所述金属层的同一步骤中进行。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述隔离接触开口比所述金属掩膜窗口更宽。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述金属掩膜窗口比所述隔离接触窗口更宽。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻所述金属层的步骤包括使用包含CI₂、BCI₃和Ar等离子体中的至少一种等离子体的金属蚀刻。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述介质层形成所述器件接触开口和所述隔离接触开口的步骤包括蚀刻所述介质层以露出所述阻挡层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括剥离所述光刻胶膜。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述器件接触开口为所述至少两个晶体管器件的每一个界定各自的栅极接触。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述器件接触开口包括一对用于至少两个晶体管器件的每一个的器件接触开口，其界定各自的漏极和源极欧姆接触。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述光刻胶用作蚀刻所述金属层的蚀刻停止。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中蚀刻所述金属层进一步包括界定每一个器件的所述漏极和所述源极欧姆接触之间各自的金属空间。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述氮化镓层未掺杂并且包含介于0.5到10微米之间的厚度。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述阻挡层未掺杂并且包含介于50埃米到300埃米之间的厚度。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，其中所述阻挡层包含氮化镓铝，所述氮化镓具有的铝成分比例介于所述氮化镓铝的10％至35％之间。

14.一种形成晶体管器件的方法，所述方法包括：

在基底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成氮化镓层；

在所述氮化镓层上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成介质层；

在所述介质层中形成至少一器件接触开口和隔离接触开口；

在所述介质层、至少一所述器件接触开口和所述隔离接触开口上形成金属层；

在所述至少一器件接触开口上形成光刻胶膜，所述光刻胶膜限定金属掩膜窗口；

蚀刻所述金属层；

蚀刻部分所述阻挡层和所述氮化镓层以形成隔离区域，在所述隔离区域所述金属掩膜窗口和所述隔离接触开口重叠；

其中蚀刻部分所述缓冲层和所述氮化镓层在蚀刻所述金属层的同一步骤中进行。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中所述隔离接触开口比所述金属掩膜窗口更宽。