[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

焊料接合层具有分散于基质的微粒状的多个第二结晶部(22)在第一结晶部(21)之间的晶粒边界析出的结构。第一结晶部(21)是以预定比例包括锡和锑的多个Sn晶粒。第二结晶部(22)由以相对于Sn原子以预定比例包括Ag原子的第一部分、或者相对于Sn原子以预定比例包括Cu原子的第二部分构成，或者由该第一部分和第二部分构成。另外，焊料接合层也可以具有作为相对于Sn原子以预定比例包括Sb原子的晶粒的第三结晶部(23)。由此，能够以低融点进行焊料接合、具有实质上均匀的金属组织、形成可靠性高的焊料接合层。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，是通过焊料接合层使一组构件之间接合而成的半导体装置，所述焊料接合层包括：第一结晶部，以锡原子：锑原子＝1：p(0＜p≤0.1)的比率包括锡和锑；以及第二结晶部，具有第一部分和第二部分中的至少一者，所述第一部分以锡原子：银原子＝1：q(2≤q≤5)的比率包括锡和银，所述第二部分以锡原子：铜原子＝1：r(0.4≤r≤4)的比率包括锡和铜，所述第二结晶部的平均粒径小于所述第一结晶部的平均粒径，所述焊料接合层具有第三结晶部，所述第三结晶部以锡原子：锑原子＝1：s(0.8≤s≤1.6)的比率包括锡和锑。