[发明专利]用于制造绝缘栅双极晶体管的方法

摘要

提供一种用于制造绝缘栅双极晶体管(10)的方法，其包括在发射极侧(65)与集电极侧(45)之间的第一导电类型的漂移层(3)，其中栅电极(7)和发射极电极(8)布置在发射极侧(65)，而集电极侧与发射极侧(65)相对，集电极电极(9)布置在集电极侧(45)。该制造方法包括以下顺序的制造步骤：‑确定第二导电类型的衬底(1)，第二导电类型与第一导电类型相反，衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧(12，14)，‑通过施加掺杂剂在第一侧(12)上创建第一导电类型的第一层(25)，‑在第一层(25)上创建第一导电类型的漂移层(3)，漂移层(3)具有低的掺杂浓度，‑扩散离子使得创建具有缓冲层厚度(22)的缓冲层(2)，其中缓冲层(2)具有比漂移层(3)更高的掺杂浓度，‑在漂移层(3)上创建第二导电类型的基极层(5)，‑在基极层(5)上创建第一导电类型的发射极层(6)，‑在第二侧(14)上减薄(48)衬底(1)使得衬底的保留部分形成集电极层(4)。

主权项

1.一种用于制造绝缘栅双极晶体管（10）的方法，所述晶体管包括在发射极侧（65）与集电极侧（45）之间的第一导电类型的漂移层（3），其中栅电极（7）和发射极电极（8）布置在所述发射极侧（65），而所述集电极侧与所述发射极侧（65）相对，集电极电极（9）布置在所述集电极侧（45），其中该制造方法包括以下顺序的制造步骤：‑ 提供第二导电类型的衬底（1），所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述衬底具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧（12，14）以及5*1015‑1*1017 cm‑3的掺杂浓度，‑ 施加所述第一导电类型的掺杂剂通过外延生长或沉积来在所述第一侧（12）上创建所述第一导电类型的第一层（25），导致所述第一层（25）具有在0.5和2μm之间的第一层厚度（27），‑ 在所述第一层（25）上创建所述第一导电类型的漂移层（3），所述漂移层（3）具有低掺杂浓度，‑ 扩散所述掺杂剂使得创建具有缓冲层厚度（22）的缓冲层（2），其中所述缓冲层（2）具有比所述漂移层（3）更高的掺杂浓度并且使得在垂直于所述第二侧（14）的方向上所述缓冲层不包括恒定掺杂浓度的区域，‑ 在所述漂移层（3）上创建所述第二导电类型的基极层（5），‑ 在所述基极层（5）上创建所述第一导电类型的发射极层（6），‑ 在所述第二侧（14）上减薄（48）所述衬底（1）使得所述衬底的保留部分形成集电极层（4）。