[发明专利]具有同级不同电阻器的集成电路有效
申请号: | 201480010909.3 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN105027283B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | C·迪内克尔;K·斯普林格;F·施廷格尔 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;H01L21/4763;H05K1/16;H05K3/00;H01C13/00;H01C17/06;H01C17/28 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 赵蓉民,徐东升 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开一种集成电路100,该电路包含在介电层102上方的三个薄膜电阻器106、108、110。第一电阻器主体116只包括底部薄膜层104,并且第一电阻器头部118包括底部薄膜层104、中间薄膜层112和顶部薄膜层128。第二电阻器主体120和头部122包括所有三个薄膜层104、112、128。第三电阻器主体l24不包括中间薄膜层。三个电阻器使用两个蚀刻掩模来形成。 | ||
搜索关键词: | 具有 同级 不同 电阻器 集成电路 | ||
【主权项】:
一种集成电路,包括:介电层;第一电阻器,其设置在所述介电层上方,所述第一电阻器包括第一主体和第一头部,所述第一主体包括底部薄膜层并且不包括中间薄膜层和顶部薄膜层,所述第一头部包括所述底部薄膜层、所述中间薄膜层和所述顶部薄膜层,所述中间薄膜层设置在所述底部薄膜层上方并与所述底部薄膜层形成电连接,并且所述顶部薄膜层设置在所述中间薄膜层上方并与所述中间薄膜层形成电连接;第二电阻器,其在所述介电层上方,所述第二电阻器包括第二主体和第二头部,所述第二主体和所述第二头部包括所述底部薄膜层、所述中间薄膜层和所述顶部薄膜层;以及第三电阻器,其设置在所述介电层上方,所述第三电阻器包括第三主体和第三头部,所述第三主体包括所述顶部薄膜层并且不包括所述中间薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的