[发明专利]半导体基板、摄像元件及摄像装置有效
申请号: | 201480008128.0 | 申请日: | 2014-02-04 |
公开(公告)号: | CN104981907B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 高泽直裕;竹本良章 | 申请(专利权)人: | 奥林巴斯株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,于英慧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 半导体基板具有对准标记,其由将位置检测用的检测光反射的材料形成,并具有检测用边缘部;遮光层部,其具有比所述对准标记大的外形形状,由遮挡所述检测光的材料形成,被配置在从所述检测光的入射侧观察成为所述对准标记的背面侧的位置;以及一个以上的透光层部,其被层叠在所述对准标记和所述遮光层部之间,使所述检测光透射,并且至少在与所述遮光层部重叠的范围内不进行图案加工。 | ||
搜索关键词: | 半导体 摄像 元件 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体基板,该半导体基板具有:对准标记,其由反射位置检测用的检测光的材料形成,并具有检测用边缘部;遮光层部,其具有比所述对准标记大的外形形状,由遮挡所述检测光的材料形成,被配置在从所述检测光的入射侧观察成为所述对准标记的背面侧的位置;以及一个以上的透光层部,其被层叠在所述对准标记和所述遮光层部之间,透过所述检测光,并且至少在与所述遮光层部重叠的范围内未进行图案加工,其中,所述半导体基板具有:第1基板,所述检测光从外部入射到该第1基板;第2基板,其与所述第1基板对置配置;以及接合层部,其接合所述第1基板和所述第2基板,所述对准标记设于所述第1基板,所述遮光层部设于所述接合层部,在所述接合层部中,将所述第1基板和所述第2基板电接合的接合电极形成于所述遮光层部的外方,在所述第1基板中的所述对准标记和所述接合层部中的所述遮光层部之间形成有所述透光层部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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