[发明专利]在沟槽中具有俘获电荷层的非易失性存储器单元和阵列以及其制造方法在审
| 申请号： | 201480007861.0 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104969358A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | N.杜 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;王传道 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器单元，所述存储器单元在衬底的表面中包括沟槽。第一和第二间隔开的区(14,16)形成于所述衬底中，其中所述区之间存在沟道区。所述第一区(14)形成于所述沟槽下方。所述沟道区包括沿所述沟槽的侧壁延伸的第一部分(18b)和沿所述衬底的所述表面延伸的第二部分(18a)。所述沟槽中的电荷俘获层(22)与所述沟道区的所述第一部分相邻并且与所述第一部分绝缘，用于控制所述沟道区第一部分的导电。所述沟槽中的导电栅极(20)与所述电荷俘获层相邻并且与所述电荷俘获层和所述第一区绝缘，并且电容性地耦接至所述电荷俘获层。导电控制栅(24)设置在所述沟道区的所述第二部分上方并且与所述第二部分绝缘，用于控制所述第二部分的导电。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 具有 俘获 电荷 非易失性存储器 单元 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器单元，包括：衬底材料，具有第一导电类型和表面；沟槽，形成到所述衬底的所述表面中；第一和第二间隔开的区，形成在所述衬底中并且具有第二导电类型，所述区之间存在位于所述衬底中的沟道区，其中所述第一区形成于所述沟槽下方，并且所述沟道区包括基本上沿所述沟槽的侧壁延伸的第一部分和基本上沿所述衬底的所述表面延伸的第二部分；位于所述沟槽中的电荷俘获层，所述电荷俘获层与所述沟道区的所述第一部分相邻并且与所述第一部分绝缘，用于控制所述沟道区的所述第一部分的导电；位于所述沟槽中的导电栅，所述导电栅与所述电荷俘获层相邻并且与所述电荷俘获层和所述第一区绝缘，并且电容性地耦接至所述电荷俘获层；以及导电控制栅，所述导电控制栅设置在所述沟道区的所述第二部分上方并且与所述第二部分绝缘，用于控制所述沟道区的所述第二部分的导电。
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