[发明专利]外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法以及外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板在审
| 申请号： | 201480007779.8 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104981892A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 蓝乡崇;伊藤涉;藤本辰雄 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够得到具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片的碳化硅单晶基板的制造方法以及碳化硅单晶基板。具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法是：通过研磨速度为100nm/小时以下的CMP(化学机械研磨)法对碳化硅单晶基板的表面进行研磨来将表面除去100nm以上的厚度，使直径为0.5μm以上且1.5μm以下并且深度为50nm以上且500nm以下的大致圆形状的坑为1个/cm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 碳化硅 晶片 单晶基板 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法，其特征在于，以10nm/小时以上且100nm/小时以下的研磨速度对碳化硅单晶基板的表面进行化学机械研磨，从而将碳化硅单晶基板的表面以厚度为100nm以上且1000nm以下的范围除去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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