[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480007600.9 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104995738B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 小野泽勇一;小林勇介 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,鲁恭诚 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在n‑漂移层(2)的表面层设置有台面状的第一p基区(11)、第二p基区(12)和浮置p区(13)。第一p基区(11)与浮置p区(13)由第一沟槽(5)分离。第二p基区(12)通过第二沟槽(15)与浮置p区(13)分离。第一p基区(11)、第二p基区(12)与发射电极(9)导电连接。浮置p区(13)与发射电极(9)电绝缘而处于浮置状态。在第一沟槽(5)的内部隔着第一栅绝缘膜(6)设置有第一栅电极(7)。在第二沟槽(15)的内部隔着第二栅绝缘膜(16)设置有发射极电位的第二栅电极(17)。由此，能够提高导通动作时的di/dt控制性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，设置在所述第一半导体层上；第一导电型的第三半导体层，选择性地设置在所述第二半导体层的相对于所述第一半导体层侧相反一侧的表面层；第二导电型的第四半导体层，选择性地设置在所述第三半导体层的内部；第一沟槽，贯穿所述第三半导体层和所述第四半导体层而到达所述第二半导体层；第一导电型的第五半导体层，选择性地设置在所述第二半导体层的相对于所述第一半导体层侧相反一侧的表面层，并通过所述第一沟槽而与所述第三半导体层分离；第二沟槽，从所述第五半导体层的相对于所述第一半导体层侧相反一侧的表面到达所述第二半导体层；第一导电型的第六半导体层，设置在所述第五半导体层的内部，通过所述第二沟槽而与所述第五半导体层分离；发射电极，与所述第三半导体层、所述第四半导体层和所述第六半导体层导电连接，且与所述第五半导体层电绝缘；集电极，与所述第一半导体层导电连接；第一栅电极，隔着第一栅绝缘膜设置在所述第一沟槽的内部；以及第二栅电极，隔着第二栅绝缘膜设置在所述第二沟槽的内部，且与所述发射电极电连接，其中，所述第六半导体层的宽度比所述第三半导体层的宽度窄。
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