[发明专利]用于磁致伸缩式随机存取存储器(MRAM)的小形状因子磁屏蔽在审
| 申请号： | 201480007258.2 | 申请日： | 2014-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN104969346A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | S·顾;R·张;V·拉马钱德兰;D·W·金 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/64;H01L43/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 唐杰敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些实现提供包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元阵列的管芯，该MRAM单元阵列包括若干MRAM单元。该管芯还包括位于该MRAM单元阵列上方的第一铁磁层、位于该MRAM单元阵列下方的第二铁磁层、以及位于至少一个MRAM单元周围的若干通孔。通孔包括铁磁材料。在一些实现中，第一铁磁层、第二铁磁层和该若干通孔定义用于该MRAM单元阵列的磁屏蔽。MRAM单元可包括磁隧道结(MTJ)。在一些实现中，该若干通孔至少穿过管芯的金属层和介电层。在一些实现中，通孔是贯穿基板通孔。在一些实现中，铁磁材料具有高磁导率和高B饱和度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 伸缩 随机存取存储器 mram 形状 因子 屏蔽 | ||
【主权项】：
一种管芯，包括：组件；位于所述组件上方的第一铁磁层；位于所述组件下方的第二铁磁层；以及位于所述组件周围的多个贯穿基板通孔，所述贯穿基板通孔包括铁磁材料。
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