[发明专利]半导体晶圆的连续处理装置及方法在审
申请号: | 201480004276.5 | 申请日: | 2014-01-07 |
公开(公告)号: | CN104919583A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 李元求;徐现模;安贤焕;柳守烈;崔宇鎭 | 申请(专利权)人: | 系统科技公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及半导体晶圆的连续处理装置及方法,本发明的半导体晶圆的连续处理装置包括通过多个工序处理晶圆的多个腔室,所述多个腔室中一个以上的腔室包括:基座,为工序过程中支撑晶圆而固定设置;下部机壳,固定设置在所述基座的外侧,在所述晶圆的下部形成隔离的工序空间;上部机壳,为形成所述晶圆的上部隔离的工序空间而上下移动;转盘,在所述上部机壳与下部机壳之间形成,并形成露出所述基座上部的孔,因所述多个腔室之间移送所述晶圆而旋转,在所述基座的上部使所述晶圆上下移动;安放环,插入所述孔的上方并能脱离,安放所述晶圆。因此,能够简单化装置的结构,具有减少电力消耗的效果。 | ||
搜索关键词: | 半导体 连续 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
提供一种半导体晶圆的连续处理装置,包括通过多个工序处理晶圆的多个腔室,其特征在于:所述多个腔室中一个以上的腔室,包括:基座,为工序过程中支撑晶圆而固定设置;下部机壳,固定设置在所述基座的外侧,在所述晶圆的下部形成隔离的工序空间;上部机壳,为所述晶圆的上部形成隔离的工序空间而上下移动;转盘,在所述上部机壳与下部机壳之间形成,并形成露出所述基座上部的孔,因所述多个腔室之间移送所述晶圆而旋转,在所述基座的上部使所述晶圆上下移动;安放环,插入所述孔的上方并能脱离,安放所述晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造