[发明专利]掩膜板坯料、相移掩膜板及其制造方法有效
申请号: | 201480004256.8 | 申请日: | 2014-01-14 |
公开(公告)号: | CN104903792B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 野泽顺;宍戸博明;酒井和也 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法,根据该掩膜板坯料,即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下,该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高,多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高,进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于,在透光性基板上设有相移膜,所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过,且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能,所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构,所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成,或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成,所述低透光层与所述高透光层相比,氮含量相对少。 | ||
搜索关键词: | 掩膜板 坯料 相移 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜板坯料,其在透光性基板上设有相移膜,所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过,且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能,所述掩膜板坯料的特征在于,所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构,所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成,或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成,所述低透光层与所述高透光层相比,氮含量相对少。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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