[发明专利]掩膜板坯料、相移掩膜板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480004256.8 申请日: 2014-01-14
公开(公告)号: CN104903792B 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 野泽顺;宍戸博明;酒井和也 申请(专利权)人: HOYA株式会社
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法,根据该掩膜板坯料,即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下,该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高,多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高,进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于,在透光性基板上设有相移膜,所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过,且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能,所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构,所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成,或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成,所述低透光层与所述高透光层相比,氮含量相对少。
搜索关键词: 掩膜板 坯料 相移 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种掩膜板坯料,其在透光性基板上设有相移膜,所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过,且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能,所述掩膜板坯料的特征在于,所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构,所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成,或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成,所述低透光层与所述高透光层相比,氮含量相对少。
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