[发明专利]具有经改进金属接触的功率MOS晶体管有效
| 申请号： | 201480003825.7 | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN104937714B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈里·迪克斯;哈罗德·克兰;丹·格里姆;罗杰·迈尔奇;雅各布·L·威廉斯 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率MOS场效应晶体管FET，其具有多个晶体管单元，每一单元具有通过硅晶片裸片的表面接触的源极区域及漏极区域。第一电介质层安置在所述硅晶片裸片的所述表面上且多个凹槽分别形成于所述源极区域及漏极区域上面的所述第一电介质层中且填充有导电材料。第二电介质层安置在所述第一电介质层的表面上且具有开口以将接触区暴露于所述凹槽。金属层安置在所述第二电介质层的表面上且填充所述开口，其中所述金属层经图案化及蚀刻以形成通过所述凹槽分别连接所述多个晶体管单元的每一漏极区域与每一源极区域的单独金属线。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质层 漏极区域 源极区域 晶体管单元 硅晶片 金属层 裸片 填充 安置 功率MOS场效应晶体管 开口 功率MOS晶体管 蚀刻 单独金属 导电材料 金属接触 接触区 图案化 暴露 改进 | ||
【主权项】：
1.一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，其包括：多个晶体管单元，每一单元包括源极区域及漏极区域，每一单元的所述源极区域及所述漏极区域经安置以通过硅晶片裸片的表面接触；第一电介质层，其安置在所述硅晶片裸片的所述表面上；多个凹槽，其处于所述第一电介质层中，每一凹槽形成于相应单元的所述源极区域或所述漏极区域上面且填充有导电材料；第二电介质层，其安置在所述第一电介质层的表面上且包括至少一个接触开口，其中所述至少一个接触开口中的每一者暴露所述凹槽中的相应一者；金属层，其安置在所述第二电介质层的表面上且填充所述开口，其中所述金属层经图案化及蚀刻以形成至少一条漏极金属线以及至少一条源极金属线，其中所述至少一条漏极金属线通过形成于所述多个晶体管单元中的至少两个漏极区域上面的相应凹槽互连所述至少两个漏极区域，且所述至少一条源极金属线通过形成于所述多个晶体管单元中的至少两个源极区域上面的相应凹槽互连所述至少两个源极区域，且其中每一凹槽具有实质上在所述至少一条漏极金属线和所述至少一条源极金属线的邻近对下面延伸的长度。
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