[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480002015.X | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105283919B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 谷国雄 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 权太白;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 控制电路(105)在接受了第1擦除指令时，对使第1存储元件(102)的阈值电压和第2存储元件(103)的阈值电压都增加的第1预写处理的执行进行控制，之后，直到第1存储元件(102)的阈值电压和第2存储元件(103)的阈值电压变得比预定的擦除校验电平小为止，对使第1存储元件(102)的阈值电压和第2存储元件(103)的阈值电压都减少的擦除处理的执行进行控制。控制电路(105)在接受了第2擦除指令时，对使第1存储元件(102)和第2存储元件(103)中的一方的阈值电压增加的第2预写处理的执行进行控制，之后，对擦除处理的执行进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：存储阵列，包含多个由通过阈值电压的差异保存二值数据并且能够分别进行电改写的第1存储元件和第2存储元件构成的双单元；和控制电路，对所述双单元中保存的双单元数据的擦除进行控制，所述控制电路在接受了第1擦除指令时，对使所述第1存储元件的阈值电压和所述第2存储元件的阈值电压都增加的第1预写处理的执行进行控制，之后，直到所述第1存储元件的阈值电压和所述第2存储元件的阈值电压变得比预定的擦除校验电平小为止，对使所述第1存储元件的阈值电压和所述第2存储元件的阈值电压都减少的擦除处理的执行进行控制，所述控制电路在接受了第2擦除指令时，对使所述第1存储元件和所述第2存储元件中的一方的阈值电压增加的第2预写处理的执行进行控制，之后，对所述擦除处理的执行进行控制。
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