[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

包括：存储阵列，包含多个由通过阈值电压的差异保存二值数据并且能够分别进行电改写的第1存储元件和第2存储元件构成的双单元；和

控制电路，对所述双单元中保存的双单元数据的擦除进行控制，

所述控制电路在接受了第1擦除指令时，对使所述第1存储元件的阈值电压和所述第2存储元件的阈值电压都增加的第1预写处理的执行进行控制，之后，直到所述第1存储元件的阈值电压和所述第2存储元件的阈值电压变得比预定的擦除校验电平小为止，对使所述第1存储元件的阈值电压和所述第2存储元件的阈值电压都减少的擦除处理的执行进行控制，

所述控制电路在接受了第2擦除指令时，对使所述第1存储元件和所述第2存储元件中的一方的阈值电压增加的第2预写处理的执行进行控制，之后，对所述擦除处理的执行进行控制，

所述控制电路在接受了所述第2擦除指令时，从所述存储阵列内的预定的双单元读取双单元数据，在所述双单元数据表示所述第1存储元件的阈值电压比所述第2存储元件的阈值电压大时，使所述存储阵列内的所述预定的双单元和其它双单元的所述第2存储元件的阈值电压增加，在所述双单元数据表示所述第2存储元件的阈值电压比所述第1存储元件的阈值电压大时，使所述存储阵列内的所述预定的双单元和其它双单元的所述第1存储元件的阈值电压增加，

所述控制电路在接受了所述第2擦除指令时，从所述存储阵列内的擦除对象块的开头区域的双单元读取双单元数据，在所述双单元数据表示所述第1存储元件的阈值电压比所述第2存储元件的阈值电压大时，使所述存储阵列内的从所述开头区域到中间区域的紧前为止的双单元的所述第2存储元件的阈值电压增加，在所述双单元数据表示所述第2存储元件的阈值电压比所述第1存储元件的阈值电压大时，使所述存储阵列内的从所述开头区域到中间区域的紧前为止的双单元的所述第1存储元件的阈值电压增加，

所述控制电路从所述存储阵列内的擦除对象块的中间区域的双单元读取双单元数据，在所述双单元数据表示所述第1存储元件的阈值电压比所述第2存储元件的阈值电压大时，使所述存储阵列内的从所述中间区域到最终区域为止的双单元的所述第2存储元件的阈值电压增加，在所述双单元数据表示所述第2存储元件的阈值电压比所述第1存储元件的阈值电压大时，使所述存储阵列内的从所述中间区域到最终区域的紧前为止的双单元的所述第1存储元件的阈值电压增加。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述控制电路在接受了程序指令时，使所述第1存储元件和所述第2存储元件的一方的阈值电压增加直到超过第1写入校验电压为止，

所述控制电路在接受了所述第2擦除指令时，使所述第1存储元件和所述第2存储元件中的一方的电压增加直到超过第2写入校验电压为止，其中，所述第2写入校验电压比所述第1写入校验电压大。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述控制电路在接受了所述第1擦除指令之后又接受了复原指令时，从所述双单元读取双单元数据，在所述双单元数据表示所述第1存储元件的阈值电压比所述第2存储元件的阈值电压大时，使所述双单元的所述第1存储元件的阈值电压增加，在所述双单元数据表示所述第2存储元件的阈值电压比所述第1存储元件的阈值电压大时，使所述双单元的所述第2存储元件的阈值电压增加。