[发明专利]半导体装置

说明书

控制电路(105)在接受了第1擦除指令时，对使第1存储元件(102)的阈值电压和第2存储元件(103)的阈值电压都增加的第1预写处理的执行进行控制，之后，直到第1存储元件(102)的阈值电压和第2存储元件(103)的阈值电压变得比预定的擦除校验电平小为止，对使第1存储元件(102)的阈值电压和第2存储元件(103)的阈值电压都减少的擦除处理的执行进行控制。控制电路(105)在接受了第2擦除指令时，对使第1存储元件(102)和第2存储元件(103)中的一方的阈值电压增加的第2预写处理的执行进行控制，之后，对擦除处理的执行进行控制。

技术领域

本发明涉及半导体装置、预写程序以及复原程序，涉及例如包含保存互补数据的两个非易失性存储单元的半导体装置、用于擦除互补数据的预写程序以及互补数据的复原程序。

背景技术

以往，公知有包含保存互补数据的两个非易失性存储单元的半导体装置。

例如，在日本特开2008-117510号公报(专利文献1)中记载的半导体装置具备：存储阵列(19)，具有多个能够分别进行电改写的第1存储元件(MC1)和第2存储元件(MC2)作为1比特的双单元(twin cells)，所述第1存储元件(MC1)和第2存储元件(MC2)通过快速擦除(flash erase)型负阈值电压的差异保存二值数据且由于所保存的二值数据的差异而存储特性存在差异；和读取电路(SA)，对从读取并选择的双单元的第1存储元件和第2存储元件输出的互补数据进行差分放大并判定双单元的存储信息。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-117510号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在记载于日本特开2008-117510号公报(专利文献1)的双单元中，通过双单元数据的擦除，两个单元的阈值电压都成为小的状态。此时，双单元数据擦除前的写入状态下的两个单元的阈值电压的差有时在双单元数据的擦除后也残留。

对于用户，存在如下情况：为了简单地写入新数据(用于腾出空间)而希望擦除双单元数据的情况；以及为了机密保存而希望擦除双单元数据的情况。在前者的情况下，即使两个单元的阈值电压的差在双单元数据擦除后残留也不会成为问题。但是，在后者的情况下，当两个单元的阈值电压的差在双单元数据擦除后残留时，存在如下问题：双单元数据擦除前的写入状态被读取，在机密保存这一点上并不优选。

通过本说明书的记载和附图明确其他课题和新的特征。

用于解决课题的手段

根据本发明的一种实施方式，控制电路在接受了第1擦除指令时，对使第1存储元件的阈值电压和第2存储元件的阈值电压都增加的第1预写处理的执行进行控制，之后，直到第1存储元件的阈值电压和第2存储元件的阈值电压变得比预定的擦除校验电平小为止，对使第1存储元件的阈值电压和第2存储元件的阈值电压都减少的擦除处理的执行进行控制。控制电路在接受了第2擦除指令时，对使第1存储元件和第2存储元件中的一方的阈值电压增加的第2预写处理的执行进行控制，之后，对擦除处理的执行进行控制。

发明效果

根据本发明的一种实施方式，能够满足用户为了简单地重新写入数据(用于腾出空间)而要求双单元数据的擦除的情况和用户为了机密保存而要求双单元数据的擦除的情况这双方的要求。

附图说明

图1是示出第1实施方式的半导体装置的结构的图。

图2是示出第1实施方式的半导体装置的动作顺序的流程图。

图3是示出第2实施方式的微型计算机的结构的图。

图4是示出闪存模块的结构的图。