[实用新型]一种MOSFET焊接模具有效

专利信息
申请号: 201420786658.5 申请日: 2014-12-12
公开(公告)号: CN204316884U 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 尙萌;金雪峰;朱联联;徐艳松;刘瑞;李保钢 申请(专利权)人: 天津电气科学研究院有限公司
主分类号: H05K3/34 分类号: H05K3/34
代理公司: 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 代理人: 王来佳
地址: 300180 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型涉及一种MOSFET焊接模具,包括定位普板、上层基板、中层基板以及螺钉,中层基板、上层基板以及定位普板通过螺钉由下向上依次顺序固定,上层基板上间隔制有多个通槽,该多个通槽形成用于定位待焊接的MOSFET的槽坑。本实用新型使得线路板的焊接更便捷,外观更美观,成品率更高,满足现代工艺的要求。普通的人工焊接一次合格率可达90%左右,用该装置焊接一次合格率可高达98%左右。
搜索关键词: 一种 mosfet 焊接 模具
【主权项】:
一种MOSFET焊接模具,其特征在于:包括定位普板、上层基板、中层基板以及螺钉,中层基板、上层基板以及定位普板通过螺钉由下向上依次顺序固定,上层基板上间隔制有多个通槽,该多个通槽形成用于定位待焊接的MOSFET的槽坑。
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