[实用新型]具有阱单元行和阱连接单元行的半导体芯片有效
申请号: | 201420775113.4 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN204331730U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 姜硕 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 方挺;葛强 |
地址: | 110032 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种具有阱单元行和阱连接单元行的半导体芯片,包括:多个阱单元行;隔行布置在所述多个阱单元行中的多个阱连接单元行;其中,所述多个阱连接单元行中的每一行的相邻阱连接单元之间的距离布置成:使得每个阱连接单元行中的阱连接单元以防闩锁效应的最小安全距离为半径形成的覆盖区的叠加足以覆盖全部的所述多个阱单元行。根据本实用新型的阱连接单元,由于为精心设计阱连接单元间的间距和采用的隔行布置,在预防闩锁效应和满足芯片的充分供电的情况下,使所加的阱连接单元数量尽可能的少,节省了加工成本,优化了芯片的时序,确保了精确合理的制定芯片的制造工艺,提高了芯片产品质量的可靠性和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 具有 单元 连接 半导体 芯片 | ||
【主权项】:
一种具有阱单元行和阱连接单元行的半导体芯片,其特征在于,包括:多个阱单元行;隔行布置在所述多个阱单元行中的多个阱连接单元行;其中,所述多个阱连接单元行中的每一行的相邻阱连接单元之间的距离布置成:使得每个阱连接单元行中的阱连接单元以防闩锁效应的最小安全距离为半径形成的覆盖区的叠加足以覆盖全部的所述多个阱单元行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所;,未经中国电子科技集团公司第四十七研究所;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420775113.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。