[实用新型]一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块有效
| 申请号： | 201420704604.X | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN204464256U | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 何志;谢刚;任延吉 | 申请（专利权）人： | 佛山芯光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/08 | 分类号： | H01L23/08;H01L23/373 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块（包括IGBT，MOSFE，二极管等功率模块），结构包括硅凝胶（1）、金属电极（2）、铝基板（3）、类金刚石薄膜（4）、铜膜（5）、焊膏（6）、功率芯片（7）和铝线（8）。该功率模块适用于MOSFET、IGBT、二极管等功率器件。类金刚石薄膜（DLC）（4）铝基板（3）具有材料稳定、绝缘性好、导热率高等特点，大大降低了模块的热阻和封装成本，可以取代传统的DBC封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可以 采用 金刚石 薄膜 铝基板 功率 模块 | ||
【主权项】：
一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块，包括硅凝胶（1）、金属电极（2）、铝基板（3）、类金刚石薄膜（4）、铜（5）、焊膏（6）、功率芯片（7）和铝线（8），其特征在于，在铝基板（3）之上从下至上依次有类金刚石薄膜（4）、铜（5）、焊膏（6）、功率芯片（7）、铝线（8）、金属电极（2），整个功率模块用硅凝胶（1）覆盖，该功率模块适用于MOSFET、IGBT、二极管等功率器件。
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