[实用新型]高频非穿通型绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201420603707.7 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN204118073U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 龚利汀;陈丽兰;龚利贞 | 申请（专利权）人： | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高频非穿通型绝缘栅双极型晶体管，包括N-型衬底，在N-型衬底上形成有多个网状分布的元胞；在N-型衬底的正面形成有各元胞的P型阱区和围绕晶体管有源区的P型场限环；在N-型衬底的正面最外围形成有N+电场截止环；在各元胞的P型阱区内形成有N+型发射区，在一侧的P型阱区和N+型发射区上方的表面形成有栅氧化层，栅氧化层上形成有元胞多晶硅层，元胞多晶硅层上形成有栅极金属；在另一侧的P型阱区和N+型发射区上方表面形成有发射区金属；各元胞的元胞多晶硅层、栅极金属、发射区金属均分别一一对应互连。在N-型衬底背面形成有P型集电区。该晶体管耐压高，开关速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 非穿通型 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高频非穿通型绝缘栅双极型晶体管，包括多个网状分布的元胞，其特征在于：IGBT晶体管包括N‑型衬底(6)，在N‑型衬底(6)上形成有多个元胞；在N‑型衬底(6)的正面形成有各元胞的P型阱区(10)和围绕晶体管有源区的一个或多个P型场限环(8)；在N‑型衬底(6)的正面最外围形成有N+电场截止环(5)；N+电场截止环(5)上方的N‑型衬底(6)的表面设有保护区多晶硅层(12)；在P型场限环(8)和保护区多晶硅层(12)上方均设有金属层；在各元胞的P型阱区(10)内形成有N+型发射区(7)，在一侧的P型阱区(10)和N+型发射区(7)上方的表面形成有栅氧化层(4)，栅氧化层(4)上形成有元胞多晶硅层(3)，元胞多晶硅层(3)上形成有栅极金属(2)；在另一侧的P型阱区(10)和N+型发射区(7)上方的表面形成有发射区金属(1)；各元胞的元胞多晶硅层(3)、栅极金属(2)、发射区金属(1)均分别一一对应互连；在N‑型衬底(6)背面形成有P型集电区(9)；在N‑型衬底(6)背面的P型集电区(9)底表层形成有背面金属层(11)。
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