[实用新型]一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构有效
| 申请号： | 201420601588.1 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN204167348U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 卓祥景;陈凯轩;林志伟;蔡建九;张永;姜伟;林志园;尧刚 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构，在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、N型掺杂层、应力平衡层、InxGa1-xN/GaN有源层、空穴注入层、电子阻挡层及P型掺杂层；InxGa1-xN/GaN有源层由多组InxGa1-xN量子阱层及GaN量子垒层构成，其中0.1<x<0.3。本实用新型可以获得高质量InGaN/GaN有源层，提高LED发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 质量 ingan gan 有源 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构，其特征在于：在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、N型掺杂层、应力平衡层、InxGa1‑xN/GaN有源层、空穴注入层、电子阻挡层及P型掺杂层；InxGa1‑xN/GaN有源层由多组InxGa1‑xN量子阱层及GaN量子垒层构成,其中0.1<x<0.3。
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