[实用新型]高频功率器件钳位保护电路

摘要

高频功率器件钳位保护电路，涉及电学领域，包括钳位电路和与钳位电路连接的MOS管驱动单元；所述的钳位电路包括运算放大器U、MOS管Q1和电阻R1～R4；所述的MOS管负压驱动电路包括：稳压电路、负压电路、保护电路和MOS管Q3。与现有技术相比，本实用新型的技术方案实现了通过钳位电路对功率器件的开关进行了输入电压保护，而且本实用新型还对高频功率器件开关设置MOS管负压驱动电路，通过MOS管负压驱动电路可以对MOS管进行快速响应关闭并对MOS管实现驱动保护，提高整个电路的安全性和使用寿命。

主权项

高频功率器件钳位保护电路，其特征在于，包括钳位电路和与钳位电路连接的MOS管驱动单元；所述的钳位电路包括运算放大器U、MOS管Q1和电阻R1～R4；所述MOS管Q1的漏极接经电阻R1接入输入电压，MOS管Q1的栅极与运算放大器U的输出端out和第二电阻R2一端连接，MOS管Q1的源极接地，运算放大器U反向输入端与第三电阻R3一端和第四电阻R4一端连接，第四电阻R4另一端和第二电阻R2另一端接地，第三电阻R3另一端与MOS管Q1漏极连接，并作为电路输出端；所述的MOS管负压驱动电路包括：稳压电路、负压电路、保护电路和MOS管Q3，所述的稳压电路由稳压二极管VD1和限流电阻R6组成，稳压二极管VD1的负极与所述钳位电路中的电阻R3连接，所述电阻R5接在VD1正极与所述MOS管Q3源极的两端；所述的负压电路由二极管VD2、稳压管VD4、三极管Q2、电容C1以及栅极输入电阻R6组成，所述二极管VD2的正极与限流控制电路中三极管Q2的集电极以及保护单元中三极管Q1基极与三极管Q2集电极的交点连接，二极管VD2的负极同时与所述电容C1的正极和所述稳压管V4的负极相连，所述稳压管VD4的正极与电容C1的负极相连，所述三极管Q2的基极与二极管VD2的正极相连，三极管Q2的集电极与电容C1的正极相连，三极管Q2的发射极连接在电阻R5与R8之间并与所述MOS管Q3的源极相连；所述MOS管Q3的栅极输入电阻R6接在电容C1负极与MOS管Q3栅极的两端；所述的保护电路由二极管VD3、保护电阻R6和滤波电容C2组成，所述的二极管VD3的正极与MOS管Q3的栅极相连，二极管VD3的负极与电容C1的正极相连，所述保护电阻R6接在MOS管Q3的栅极与门极之间，所述的滤波电容C2与电阻R7并联。