[实用新型]一种减少薄铝层芯片损伤的芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 201420473675.3 申请日: 2014-08-21
公开(公告)号: CN204088302U 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 张建国;伍江涛;左福平;张航;朱红星 申请(专利权)人: 深圳电通纬创微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开一种减少薄铝层芯片损伤的芯片封装结构,其包括框架,框架外周密封设有封装体,该封装体与框架之间形成安装芯片的芯片座,芯片座上固定设置芯片,芯片上设有铜线键合点,相邻铜线键合点之间、以及铜线键合点与内引脚之间均通过铜线键合;所述铜线采用线径为2mil的铜线。本实用新型的优异效果在于:芯片损伤小---将在芯片上完成的压平铜球的工作转移到框架上完成,避免了在芯片上压平铜球对硅芯片造成的损伤;使得铝飞溅减少,进而降低了相邻焊区短路的风险;另外,还降低了铝垫的厚度,进而在保证质量的情况下降低了芯片制造成本;本实用新型结构简单,具有很好的实用性。
搜索关键词: 一种 减少 薄铝层 芯片 损伤 封装 结构
【主权项】:
一种减少薄铝层芯片损伤的芯片封装结构,其特征在于:包括框架,框架外周密封设有封装体,该封装体与框架之间形成安装芯片的芯片座,芯片座上固定设置芯片,芯片上设有铜线键合点,相邻铜线键合点之间、以及铜线键合点与内引脚之间均通过铜线键合;所述铜线采用线径为2mil的铜线。
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