[实用新型]一种高晶体质量红外发光二极管有效
| 申请号： | 201420449810.0 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN204144300U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;白继锋;杨凯;卓祥景;张永;姜伟;蔡建九;刘碧霞 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/22;H01L33/06 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种高晶体质量红外发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。本实用新型解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配，引起的外延层晶体质量差的问题，提高红外发光二极管量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 质量 红外 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种高晶体质量红外发光二极管，其特征在于：在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。
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