[实用新型]一种高晶体质量红外发光二极管

权利要求书

1.一种高晶体质量红外发光二极管，其特征在于：在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。

2.如权利要求1所述的一种高晶体质量红外发光二极管，其特征在于：所述降温层的厚度为2-6nm。

3.如权利要求1所述的一种高晶体质量红外发光二极管，其特征在于：所述降温层为组分渐变降温层，且有效组分由量子垒至量子阱方向逐渐降低。

4.如权利要求3所述的一种高晶体质量红外发光二极管，其特征在于：所述组分渐变降温层构成材料包括AlGaAs三五族化合物，且Al组分的重量含量由量子垒至量子阱方向逐渐降低。

5.如权利要求1所述的一种高晶体质量红外发光二极管，其特征在于：在有源层与第一型导电层之间形成第一温度过渡层，而在有源层与第二型导电层之间形成第二温度过渡层。

6.如权利要求1所述的一种高晶体质量红外发光二极管，其特征在于：第一温度过渡层的生长材料与第一型导电层的材料相同；第二温度过渡层的生长材料与第二型导电层的材料相同；第一温度过渡层及第二温度过渡层由AlGaAs材料构成。

7.如权利要求1所述的一种高晶体质量红外发光二极管，其特征在于：所述粗化层由第一粗化层、第二粗化层、第三粗化层及第四粗化层构成；其中，第一粗化层的厚度为10-50nm；第二粗化层的厚度为100-150nm；第三粗化层的厚度为150-250nm；第四粗化层的厚度为500-800nm。