[实用新型]层状双体LED芯片封装结构有效
| 申请号： | 201420416447.2 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN204067421U | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 许海鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳市新光台电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/56 |
| 代理公司： | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人： | 皮发泉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种层状双体LED芯片封装结构，包括LED晶片、正极金线、正极焊层、负极金线、负极焊层、底层成型体和顶层封装体，LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。本案利用层状双体的中部夹持住发光源，使得发光源被抬高一段位移，这样出光角度更大；又顶层封装体为环氧树脂材质，光强损失小，出光效率更高。在顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜，可以进一步地提高出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 层状 led 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种层状双体LED芯片封装结构，其特征在于，包括LED晶片、正极金线、正极焊层、负极金线、负极焊层、底层成型体和顶层封装体，所述LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，所述LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；所述顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；所述顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。
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