[实用新型]层状双体LED芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及绿色照明技术领域，尤其涉及一种层状双体LED芯片封装结构。

背景技术

目前，贴片式LED一般采用封装体，封装体由于体积小，重量轻，散射角度大，发光均匀性好，可靠性高，抗振能力强，高频性能好，易于实现自动化提高生产效率，所以广泛应用于照明、显示器、背光等领域。

现有的LED灯封装结构中，支架体采用塑料材质，塑料材质不仅透光性不好，而且会造成环境污染。透光性是衡量固晶胶性能最重要的参数，而硅胶的透光性能一般，如果采用硅胶作为固晶胶，会导致LED灯的光强损失较大。

发明内容

针对上述技术中存在的不足之处，本实用新型提供一种发光角度更大，出光效率更高，且光强损失较小的层状双体LED芯片封装结构。

为实现上述目的，本实用新型提供一种层状双体LED芯片封装结构，包括LED晶片、正极金线、正极焊层、负极金线、负极焊层、底层成型体和顶层封装体，所述LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，所述LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；所述顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；所述顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。

其中，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构。

其中，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构。

其中，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。

其中，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。

本实用新型的有益效果是：与现有技术相比，本实用新型提供的层状双体LED芯片封装结构，利用层状双体的中部夹持住发光源，使得发光源被抬高一段位移，这样出光角度更大；又利用封装的双焊层结构，并利用金线进行焊接导电，可以显著提高电连接的可靠性；又顶层封装体为环氧树脂材质，光强损失小，出光效率更高。在顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜，可以进一步地提高出光效率。

进一步地，层状双体结构可以有多种变形：

第一种为上下均为环氧树脂的反射结构，这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。

第二种为上环氧树脂下聚乙烯的反射结构，这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。

第三种为上下均为环氧树脂的透明结构，这样的布置可以最大限度地拓展出光角度，使得发光源360度全发光。

第四种为上环氧树脂下聚乙烯的透光结构，利用聚乙烯材质的特性，安装在不同规格的散热基板上，成型体具有较高的耐高温特性。

附图说明

图1为本实用新型的层状双体LED芯片封装结构的结构图。

主要元件符号说明如下：

10、底层成型体               11、顶层封装体

12、LED晶片                 13、正极焊层

14、负极焊层                 15、正极金线

16、负极金线

具体实施方式

为了更清楚地表述本实用新型，下面结合附图对本实用新型作进一步地描述。

请参阅图1，本实用新型的层状双体LED芯片封装结构，包括LED晶片12、正极金线15、正极焊层13、负极金线16、负极焊层14、底层成型体10和顶层封装体11，LED晶片12、正极焊层13和负极焊层14置于底层成型体10的一面上， LED晶片12通过正极金线15电连接正极焊层13，且该LED晶片12通过负极金线16电连接负极焊层14；顶层封装体11与底层成型体10连接后将LED晶片12封装在内，且正极焊层13和负极焊层14有金属连接端露出；顶层封装体11的表面设有SiO2增透薄膜。

相较于现有技术的情况，本实用新型提供的层状双体LED芯片封装结构，利用层状双体的中部夹持住发光源，使得发光源被抬高一段位移，这样出光角度更大；又利用封装的双焊层结构，并利用金线进行焊接导电，可以显著提高电连接的可靠性；又顶层封装体为环氧树脂材质，光强损失小，出光效率更高。在顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜，可以进一步地提高出光效率。