[实用新型]一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱有效
| 申请号： | 201420357522.2 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN203983243U | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 吴凤丽;朱超群;陈英男;马壮 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱，通过提供一种在陶瓷柱孔镶嵌陶瓷柱底座并采用多个结构相同，但高度不同的陶瓷柱，来实现各支撑点处的高度一致的技术问题。具体结构是在加热盘凸台表面的陶瓷柱孔内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座，组成新型加热盘，同时每个底座内放置不同高度的陶瓷柱，弥补陶瓷衬套深度不同导致的陶瓷柱的支撑高度不同的问题，来达到露在加热盘上表面外的陶瓷柱高度一致，避免加热盘氟化处理前后或升温前后，陶瓷柱高度发生变化，而造成工艺结果不稳定性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 镀膜 设备 采用 陶瓷 | ||
【主权项】：
一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱，其特征在于：在加热盘凸台表面的陶瓷柱孔内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座，组成新型加热盘，同时每个底座内放置不同高度的陶瓷柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
