[实用新型]具有沟槽侧面的引线框架有效
| 申请号： | 201420120155.4 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN203774301U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 王林祥;郭宁 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 具有沟槽侧面的引线框架属于半导体器件技术领域。现有技术存在的问题有：1.防水槽深度只有0.05～0.10毫米，如果加深则会导致芯片部、连接部的平整度下降，深度过浅的防水槽阻断效果较差；2.V字形防水槽占用部分芯片部面积，使芯片的尺寸受到限制；3.封装料与引线框架的结合强度较低。本实用新型之具有沟槽侧面的引线框架在散热固定部与芯片部之间的连接部正面设有横贯左右的矩形防水槽，其特征在于，在连接部正面以及芯片部两侧边缘的正面、背面分布网状压痕；在芯片部两侧侧面沿边缘走向分布V字形深槽；中间管脚与芯片部连接部分的正面表面低于芯片部正面表面。应用于采用TO-220引线框架的半导体器件的制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 侧面 引线 框架 | ||
【主权项】：
一种具有沟槽侧面的引线框架，在散热固定部（1）与芯片部（2）之间的连接部（6）正面设有横贯左右的矩形防水槽（8），其特征在于，在连接部（6）正面以及芯片部（2）两侧边缘的正面、背面分布网状压痕（10）；在芯片部（2）两侧侧面沿边缘走向分布V字形深槽（11）；中间管脚（3）与芯片部（2）连接部分的正面表面低于芯片部（2）正面表面。
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