[实用新型]芯片叠晶藏线结构有效
| 申请号： | 201420088662.4 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN203707110U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 林河北;杨东 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种芯片叠晶藏线结构，包括：框架、下层芯片、DAF膜层、上层芯片以及第一至第四导线，所述上层芯片通过DAF膜层固定于下层芯片上，所述框架具有第一引脚与第二引脚，所述上层芯片上表面设有第一电极与第二电极，所述下层芯片上表面设有第三电极与第四电极，所述第一导线一端与第一引脚电性连接，另一端与第一电极电性连接，所述第二导线一端与第二引脚电性连接，另一端与第二电极电性连接，所述第三导线一端与第一引脚电性连接，另一端与第三电极电性连接，所述第四导线一端与第二引脚电性连接，另一端与第四电极电性连接，所述第三导线的另一端与第四导线的另一端藏于所述DAF膜层中，以避免与所述上层芯片相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 叠晶藏线 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片叠晶藏线结构，其特征在于，包括：框架、固定于所述框架上的一下层芯片、设于下层芯片上的DAF膜层、固定于所述DAF膜层上的一上层芯片以及第一至第四导线，所述上层芯片通过DAF膜层固定于下层芯片上，所述框架具有第一引脚与第二引脚，所述上层芯片上表面设有第一电极与第二电极，所述下层芯片上表面设有第三电极与第四电极，所述第一导线一端与第一引脚电性连接，另一端与第一电极电性连接，所述第二导线一端与第二引脚电性连接，另一端与第二电极电性连接，所述第三导线一端与第一引脚电性连接，另一端与第三电极电性连接，所述第四导线一端与第二引脚电性连接，另一端与第四电极电性连接，所述第三导线的另一端与第四导线的另一端藏于所述DAF膜层中，以避免与所述上层芯片相接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市金誉半导体有限公司，未经深圳市金誉半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420088662.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有金属衬底的TL431芯片及其共晶结构
- 下一篇：一种多集成三极管
