[发明专利]沟槽型MOSFET的结构及制造方法在审
| 申请号： | 201410856764.0 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104538452A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 丛茂杰;许凯强;徐俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于，步骤包括：1)沟槽刻蚀，其中栅极沟道沟槽的侧壁倾斜；2)生长栅氧，淀积多晶硅并回刻；3)体区、源区注入及退火；4)淀积层间电介质，接触孔刻蚀、注入并退火；5)淀积接触孔阻挡层，淀积钨并回刻；淀积顶层金属，并刻蚀形成栅极和源极；淀积背面金属，形成漏极。本发明还公开了用上述方法制造的MOSFET的结构。本发明通过优化沟槽刻蚀参数，把栅极沟道沟槽的形貌由垂直调整到倾斜，使沟槽内填充的多晶硅在回刻之后没有缝隙，从而避免了CT刻蚀在多晶硅内沿着缝隙往下刻的情况出现，保证了器件边缘不被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于，步骤包括：1)在外延上刻蚀出沟槽，其中栅极沟道沟槽的侧壁呈倾斜形貌；2)生长栅氧，淀积多晶硅并回刻到栅氧层；3)体区注入及退火，源区注入及退火；4)淀积层间电介质，刻蚀接触孔，进行接触孔注入并退火；5)淀积接触孔阻挡层，淀积钨并回刻；淀积顶层金属，并刻蚀形成栅极和源极；淀积背面金属，形成漏极，完成MOSFET的制造。
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