[发明专利]沟槽型MOSFET的结构及制造方法在审
| 申请号： | 201410856764.0 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104538452A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 丛茂杰;许凯强;徐俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 结构 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于，步骤包括：
1)在外延上刻蚀出沟槽，其中栅极沟道沟槽的侧壁呈倾斜形貌；
2)生长栅氧，淀积多晶硅并回刻到栅氧层；
3)体区注入及退火，源区注入及退火；
4)淀积层间电介质，刻蚀接触孔，进行接触孔注入并退火；
5)淀积接触孔阻挡层，淀积钨并回刻；淀积顶层金属，并刻蚀形成栅极和源极；淀积背面金属，形成漏极，完成MOSFET的制造。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，栅极沟道沟槽的倾斜角度在87～89度之间。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)的接触孔注入，对于NMOS注入的是BF2，对于PMOS注入的As。
4.根据权利要求1所述方法制造的沟槽型MOSFET的结构，其特征在于，栅极沟道沟槽位于结终端区域内，接触孔刻在栅极沟道沟槽内，栅极沟道沟槽的侧壁呈倾斜形貌。
5.根据权利要求4所述的沟槽型MOSFET的结构，其特征在于，栅极沟道沟槽的倾斜角度在87～89度之间。
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