[发明专利]蓝宝石衬底及制备方法、制造发光二极管的方法在审
| 申请号： | 201410850307.0 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104465909A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 焦建军;黄小辉;周德保;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蓝宝石衬底及制备方法、制造发光二极管的方法。本发明蓝宝石衬底，包括：至少一切割道与衬底；所述至少一切割道设置在所述衬底上、且所述至少一切割道的晶面指向不同于所述衬底的晶面指向，以利用所述切割道将所述衬底分割成具有规则形状的图形；所述衬底的晶面指向为C晶面指向。本发明的蓝宝石衬底在进行GaN外延片生长后切割道就将芯粒与芯粒之间区分开，无需在后续的工作中利用激光切割技术将芯粒与芯粒区分开，直接利用劈裂机沿着切割道劈裂即可将芯粒分开，避免了由于激光切割不良导致发光二极管出现多胞、芯粒划偏、漏电、亮度低等问题，提高了发光二极管的产品质量，同时也可以提高芯片的产能以及节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 制备 方法 制造 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石衬底，其特征在于，包括：至少一切割道与衬底；所述至少一切割道设置在所述衬底上、且所述至少一切割道的晶面指向不同于所述衬底的晶面指向，以利用所述切割道将所述衬底分割成具有规则形状的图形；所述衬底的晶面指向为C晶面指向。
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