[发明专利]蓝宝石衬底及制备方法、制造发光二极管的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种蓝宝石衬底及制备方法、制造发光二极管的方法。

背景技术

在利用金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，简称：MOCVD)方法制造发光二极管时，氮化镓GaN外延片主要生长在蓝宝石衬底上。在对GaN外延片进行加工处理时，经研磨、激光切割、劈裂、分选等步骤将芯粒分选出来。然而在对GaN外延片进行激光切割这道工序时，经常会遇到激光切割宽度不一致、切割深度过浅、斜切等问题，这样就会导致发光二极管出现多胞、芯粒划偏、漏电、亮度低等问题，影响发光二极管的产品质量。

发明内容

本发明提供一种蓝宝石衬底及制备方法、制造发光二极管的方法，以克服现有技术中所存在的不足。

本发明提供一种蓝宝石衬底，包括：至少一切割道与衬底；

所述至少一切割道设置在所述衬底上、且所述至少一切割道的晶面指向不同于所述衬底的晶面指向，以利用所述切割道将所述衬底分割成具有规则形状的图形；

所述衬底的晶面指向为C晶面指向。

本发明提供一种蓝宝石衬底制备方法，包括：

利用研磨机将衬底研磨成具有C晶面指向的衬底；

利用所述研磨机在所述具有C晶面指向的衬底上研磨出至少一切割道，所述至少一切割道用于将所述具有C晶面指向的衬底分割成具有规则形状的图形，其中，所述至少一切割道的晶面指向不同于所述C晶面指向；

形成具有所述至少一切割道的所述具有C晶面指向的蓝宝石衬底。

本发明提供一种采用上述蓝宝石衬底制造发光二极管的方法，方法包括：

将蓝宝石衬底研磨成具有C晶面指向的衬底；

在所述具有C晶面指向的衬底上研磨出至少一切割道，所述至少一切割道用于将所述具有C晶面指向的衬底分割成具有规则形状的图形，其中，所述至少一切割道的晶面指向不同于所述C晶面指向；

在所述具有切割道的C晶面指向的衬底上生长氮化镓GaN外延片；

将所述GaN外延片加工处理，形成具有正负电极的芯片；

利用所述衬底上的切割道对所具有正负电极的芯片进行劈裂，将所述具有正负电极的芯片分割成具有所述规则形状的图形的多个芯粒；

对所述芯粒进行扩膜，得到所述发光二极管。

本发明实施例，通过在C晶面指向的衬底上设置有至少一切割道，将C晶面指向的衬底分割成具有规则形状的图形，其中，切割道的指向为非C晶面指向。因为在蓝宝石衬底的C晶面指向上较容易直接生长氮化镓GaN外延片，而在其它晶面指向(例如a、R、M指向)上直接生长GaN外延片比较困难，所以利用GaN在不同晶面指向上具有不同的生长特性就可以在蓝宝石衬底上特定区域进行选择性生长。利用该选择性的生长特性，在不同的晶面指向上生长GaN外延片的生长速率不一样，所以在蓝宝石衬底进行GaN外延片生长后切割道就将芯粒与芯粒之间区分开，无需在后续的工作中利用激光切割技术将芯粒与芯粒区分开，直接利用劈裂机沿着切割道劈裂即可将芯粒分开，避免了由于激光切割不良导致发光二极管出现多胞、芯粒划偏、漏电、亮度低等问题，提高了发光二极管的产品质量，同时也可以提高芯片的产能以及节约了成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明蓝宝石衬底实施例的结构示意图；

图2为本发明蓝宝石衬底制备方法实施例的流程图；

图3为本发明采用蓝宝石衬底制造发光二极管的方法实施例的流程图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。