[发明专利]蓝宝石衬底及制备方法、制造发光二极管的方法在审
| 申请号： | 201410850307.0 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104465909A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 焦建军;黄小辉;周德保;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 制备 方法 制造 发光二极管 | ||
1.一种蓝宝石衬底，其特征在于，包括：至少一切割道与衬底；
所述至少一切割道设置在所述衬底上、且所述至少一切割道的晶面指向不同于所述衬底的晶面指向，以利用所述切割道将所述衬底分割成具有规则形状的图形；
所述衬底的晶面指向为C晶面指向。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底，其特征在于，所述切割道的晶面指向为a晶面指向；
或，R晶面指向；
或，M晶面指向。
3.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底，其特征在于，所述具有规则形状的图形为方形或圆形。
4.根据权利要求1-3任一所述的蓝宝石衬底，其特征在于，所述切割道的宽度为5-30um。
5.一种蓝宝石衬底制备方法，其特征在于，包括：
利用研磨机将衬底研磨成具有C晶面指向的衬底；
利用所述研磨机在所述具有C晶面指向的衬底上研磨出至少一切割道，所述至少一切割道用于将所述具有C晶面指向的衬底分割成具有规则形状的图形，其中，所述至少一切割道的晶面指向不同于所述C晶面指向；
形成具有所述至少一切割道的所述具有C晶面指向的蓝宝石衬底。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述切割道的晶面指向为a晶面指向；
或，R晶面指向；
或，M晶面指向。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述具有规则形状的图形为方形或圆形。
8.根据权利要求5-7任一所述的方法，其特征在于，所述切割道的宽度为5-30um。
9.一种采用如权利要求1-4任一项所述的蓝宝石衬底制造发光二极管的方法，其特征在于，方法包括：
将蓝宝石衬底研磨成具有C晶面指向的衬底；
在所述具有C晶面指向的衬底上研磨出至少一切割道，所述至少一切割道用于将所述具有C晶面指向的衬底分割成具有规则形状的图形，其中，所述至少一切割道的晶面指向不同于所述C晶面指向；
在所述具有切割道的C晶面指向的衬底上生长氮化镓GaN外延片；
将所述GaN外延片加工处理，形成具有正负电极的芯片；
利用所述衬底上的切割道对所具有正负电极的芯片进行劈裂，将所述具有正负电极的芯片分割成具有所述规则形状的图形的多个芯粒；
对所述芯粒进行扩膜，得到所述发光二极管。
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