[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在光电二极管的占用面积扩大的情况下，半导体器件的性能通过抑制在外围晶体管中产生1/f噪声而得到改善，其中，所述光电二极管被包括在形成摄像装置的多个像素中的每一个像素中。在所述半导体器件中，放大晶体管的栅极由有源区上方的栅极部分和覆盖有源区和元件隔离区之间的边界以及所述边界附近的有源区的大宽度部分构成，所述大宽度部分的栅极长度大于所述栅极部分的栅极长度。

主权项

一种半导体器件，其包括：光电转换元件，其根据入射光的光量产生信号电荷；转发晶体管，其将信号电荷转发至电荷检测器；放大晶体管，其输出对应于所述电荷检测器中的电势变化的电信号；复位晶体管，其将所述电荷检测器的电势重置为预定值；以及选择晶体管，其向外输出由所述放大晶体管输出的电信号，其中，放大晶体管的第一栅极和选择晶体管的第二栅极横跨被元件隔离区围绕的有源区并形成于该有源区中，并且，其中，在所述有源区正上方的部分中，所述第一栅极的栅极宽度方向上的至少一个端部的栅极长度大于所述第一栅极的栅极宽度方向上的中央部分的栅极长度。