[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

光电转换元件，其根据入射光的光量产生信号电荷；

转发晶体管，其将信号电荷转发至电荷检测器；

放大晶体管，其输出对应于所述电荷检测器中的电势变化的电信号；

复位晶体管，其将所述电荷检测器的电势重置为预定值；以及

选择晶体管，其向外输出由所述放大晶体管输出的电信号，

其中，放大晶体管的第一栅极和选择晶体管的第二栅极横跨被元件隔离区围绕的有源区并形成于该有源区中，并且，

其中，在所述有源区正上方的部分中，所述第一栅极的栅极宽度方向上的至少一个端部的栅极长度大于所述第一栅极的栅极宽度方向上的中央部分的栅极长度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一栅极具有如下结构：在栅极长度方向上排列的多个第三电极彼此并联连接。

3.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，在所述有源区的正上方的部分中，所述第一栅极的栅极宽度方向上的两个端部中的每一个端部的栅极长度大于所述第一栅极的栅极宽度方向上的中央部分的栅极长度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，在所述第一栅极的正下方的部分中，具有与所述放大晶体管的沟道区域的导电类型相同的导电类型的扩散层形成于所述元件隔离区附近的有源区中。

5.如权利要求4所述的半导体器件，

其中，在所述第二栅极的正下方的部分中，具有与所述选择晶体管的沟道区域的导电类型相同的导电类型的扩散层形成于所述元件隔离区附近的有源区中。

6.如权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述复位晶体管，所述转发晶体管和所述光电转换元件不具有扩散层。

7.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述放大晶体管被布置成在所述第一栅极的栅极宽度方向上夹在多个光电二极管之间。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：

提供根据入射光的光量产生信号电荷的光电转换元件；

提供将所述信号电荷转发至电荷检测器的转发晶体管；

提供输出对应于所述电荷检测器的电势变化的电信号的放大晶体管；

提供将所述电荷检测器的电势重置为预定值的复位晶体管；

提供向外输出从所述放大晶体管中输出的电信号的选择晶体管，

其中，横跨被元件隔离区围绕的有源区的放大晶体管的第一栅极和选择晶体管的第二栅极形成于该有源区中，并且，

其中，在所述有源区正上方的部分中，所述第一栅极的栅极宽度方向上的至少一个端部的栅极长度大于所述第一栅极的栅极宽度方向上的中央部分的栅极长度。