[发明专利]碳化硅垒晶层的制造方法在审
| 申请号： | 201410825914.1 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104593865A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊;周雯 | 申请（专利权）人： | 廖奇泊;周雯 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅垒晶层的制造方法，其包括以下步骤：步骤一，在原本的硅晶圆制程上先以植入晶种方式进行拉晶；步骤二，成长一个含有氮化硅铝或多晶层的缓冲层或微量的碳化硅晶种，以改变晶圆表面的晶格长度；步骤三，先以微量成长碳化硅；步骤四，利用不同温度、不同压力交错进行不同特性程度的碳化硅生长；步骤五，退火。本发明以硅晶圆为底材，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 垒晶层 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅垒晶层的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一，在原本的硅晶圆制程上先以植入晶种方式进行拉晶；步骤二，成长一个含有氮化硅铝或多晶层的缓冲层或微量的碳化硅晶种，以改变晶圆表面的晶格长度；步骤三，先以微量成长碳化硅；步骤四，利用不同温度、不同压力交错进行不同特性程度的碳化硅生长；步骤五，退火。
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