[发明专利]一种LDMOS晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 201410822823.2 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105789051A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种LDMOS晶体管及制作方法，该方法包括：在完成场氧化层FOX制作之后，在所述FOX所在的表面淀积一层多晶硅；对所述多晶硅进行刻蚀形成多晶硅栅极，并将所述多晶硅栅极与LDMOS晶体管漏极对应位置之间的多晶硅刻蚀形成N段多晶硅，其中，N为大于0的正整数；在制作隔离介质层后进行金属层淀积，并在刻蚀所述金属层形成栅极电极以及漏极电极的同时，在所述栅极电极与所述漏极电极之间形成M段金属，其中，M为大于0的正整数。根据本发明实施例的方法，在LDMOS晶体管的漂移区上方形成多段多晶硅以及多段金属，利用低阻的多晶跟金属段进行耦合，能够达到屏蔽外界电场电荷的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管制作方法，其特征在于，该方法包括：在完成场氧化层FOX制作之后，在所述FOX所在的表面淀积一层多晶硅；对所述多晶硅进行刻蚀形成多晶硅栅极，并将所述多晶硅栅极与LDMOS晶体管漏极对应位置之间的多晶硅刻蚀形成N段多晶硅，其中，N为大于0的正整数；在制作隔离介质层后进行金属层淀积，并在刻蚀所述金属层形成栅极电极以及漏极电极的同时，在所述栅极电极与所述漏极电极之间形成M段金属，其中，M为大于0的正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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