[发明专利]一种LDMOS晶体管及制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种LDMOS晶体管及制作方法。

背景技术

横向双扩散金属氧化物半导体(LaterallyDiffusedMetalOxide Semiconductor，LDMOS)晶体管，由于与CMOS(Complementary Metal-Oxide-SemiconductorTransistor，互补金属氧化物半导体)工艺的良好兼容 性，目前已被广泛应用于CDMA(CodeDivisionMultipleAccess，码分多址)等 移动通讯领域。典型的LDMOS的制备工艺流程是在埋层、外延工艺之后，通 过光刻、注入、扩散工艺形成阱，然后通过光刻、刻蚀、氧化工艺形成场氧作 为隔离，接着做栅氧及成长栅极多晶硅，通过光刻及刻蚀工艺形成栅极，然后 通过光刻、注入、扩散工艺形成体区，最后通过光刻及注入工艺形成源极/漏极。

LDMOS晶体管的电流路径是走晶体管表面，对外界电场或工艺制程中引入 的可动离子比较敏感。尤其对于高压LDMOS影响更为突出，因为高压LDMOS 晶体管的漂移区需要的长度更长，受电场影响更容易。

发明内容

本发明实施例提供一种LDMOS晶体管及制作方法，用以解决LDMOS晶 体管容易受外界电场影响的问题。

本发明实施例提供的一种LDMOS晶体管制作方法，包括：

在完成场氧化层FOX制作之后，在所述FOX所在的表面淀积一层多晶硅；

对所述多晶硅进行刻蚀形成多晶硅栅极，并将所述多晶硅栅极与LDMOS 晶体管漏极对应位置之间的多晶硅刻蚀形成N段多晶硅，其中，N为大于0的 正整数；

在制作隔离介质层后进行金属层淀积，并在刻蚀所述金属层形成栅极电极 以及漏极电极的同时，在所述栅极电极与所述漏极电极之间形成M段金属，其 中，M为大于0的正整数。

较佳的，所述N比所述M大1。

较佳的，所述M段金属中的每一段金属分别位于所述N段多晶硅的相邻两 段多晶硅之间，且至少完全覆盖相邻两段多晶硅之间的空隙。

较佳的，所述将所述多晶硅栅极以及LDMOS晶体管漏极对应位置之间的 多晶硅刻蚀形成N段多晶硅，包括：

将所述多晶硅栅极与LDMOS晶体管漏极对应位置之间的所述多晶硅均匀 刻蚀为八段多晶硅。

较佳的，所述在所述栅极电极以及所述漏极电极之间形成M段金属，包括：

在所述栅极电极与所述漏极电极之间形成七段金属。

较佳的，该方法还包括：

在所述金属层上制作第二隔离介质层后，淀积第二金属层，并在刻蚀所述 第二金属层形成第二栅极电极以及第二漏极电极的同时，在所述第二栅极电极 以及所述第二漏极电极之间形成P段金属，其中，P为大于0的正整数。

本发明实施例提供一种LDMOS晶体管，所述LDMOS晶体管的多晶硅栅 极与漏极之间的有N段多晶硅，其中，N为大于0的正整数；

所述LDMOS晶体管的栅极电极与漏极电极之间有M段金属，其中，M为 大于0的正整数。

较佳的，所述LDMOS晶体管的多晶硅栅极与漏极之间的有八段多晶硅；

较佳的，所述LDMOS晶体管的栅极电极与漏极电极之间有七段金属。

较佳的，所述M段金属中的每一段金属分别位于所述N段多晶硅的相邻两 段多晶硅之间，且至少完全覆盖相邻两段多晶硅之间的空隙。

根据本发明实施例提供的方法，在LDMOS晶体管的漂移区上方形成多段 多晶硅以及多段金属，利用低阻的多晶跟金属段进行耦合，阻断LDMOS晶体 管的漂移区与外界的联系，达到屏蔽外界电场电荷的效果。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种LDMOS晶体管制作方法流程图；

图2至图6为采用本发明实施例提供的LDMOS晶体管制作方法制作 LDMOS晶体管时各个步骤的示意图；

图7为本发明实施例提供的一种LDMOS晶体管示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本发明实施例做详细描述。

如图1所示，本发明实施例提供的一种LDMOS晶体管制作方法流程图， 该方法包括：

步骤101：在完成场氧化层FOX制作之后，在所述FOX所在的表面淀积一 层多晶硅；