[发明专利]一种可控阵列纳米线及其场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种可控阵列纳米线的制备方法及其场效应晶体管的制备方法。本发明通过选择外延生长中生长材料沿不同晶向的生长速率各向异性的材料作为衬底，从而实现纳米线的生长；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期、数量、长度和直径，满足不同的FET需求；富VI族或富V族原子的生长条件达到表面抑制的效果，降低了金属原子在表面的各向同性迁移，有利于纳米线的生长；可控阵列纳米线FET的制备可采用传统的半导体器件制备工艺，工艺简单，可调控性强，成本低廉，能实现批量生产。

主权项

一种可控阵列纳米线的制备方法，用于制备II‑VI族或III‑V族的阵列纳米线，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)选取生长材料沿不同晶向的生长速率各向异性的材料作为衬底；2)根据场效应晶体管FET的制备要求，设计图形化衬底的图形，制备图形化衬底；3)对图形化衬底进行预处理，使图形化衬底的表面洁净；4)根据最优先生长晶向的生长速率，确定VI族或V族原子的原子束流；5)根据阵列纳米线的周期和直径，确定II族或III族原子的原子束流；6)按照以上确定的条件，在洁净的图形化衬底上生长阵列纳米线。