[发明专利]具有包括突出底部的栅极间隔件的半导体器件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410808231.5 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105789275B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘勇村 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了具有包括突出底部的栅极间隔件的半导体器件结构及其形成方法。提供了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅极堆叠结构。该半导体器件结构还包括形成在栅极堆叠结构的侧壁上的栅极间隔件，并且栅极间隔件包括顶部和与顶部邻接的底部，底部倾斜至衬底的顶面。该半导体器件结构还包括形成为与栅极间隔件相邻的外延结构，并且外延结构形成在栅极间隔件的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 突出 底部 栅极 间隔 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：衬底；栅极堆叠结构，形成在所述衬底上；栅极间隔件，形成在所述栅极堆叠结构的侧壁上，其中，所述栅极间隔件包括顶部和与所述顶部邻接的底部，并且所述底部倾斜至所述衬底的顶面；以及外延结构，形成为与所述栅极间隔件相邻，所述外延结构形成在所述栅极间隔件的下方。
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