[发明专利]一种多用途芯片静电保护方法有效
| 申请号： | 201410790266.0 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104485335B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 费伟斌;肖艳;周柏毓;邹峰 | 申请（专利权）人： | 芯原微电子（上海）有限公司;芯原微电子（北京）有限公司;芯原微电子（成都）有限公司;芯原股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多用途芯片静电保护方法，包括：将闲置I/O分布于各种封装的有效I/O中，通过系统设置所述闲置I/O为三态I/O，将所述三态I/O与所述有效I/O一起封装以提高所述有效I/O的静电保护能力，其中，所述有效I/O包括有效I/O引脚、有效电源引脚及有效地引脚。本发明的多用途芯片静电保护方法有效利用了多用途芯片中的闲置I/O，将闲置I/O设置为静电保护电路，并与有效I/O一起封装，提高了芯片的电流保护能力，同时减少漏电、不增大芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多用途 芯片 静电 保护 方法 | ||
【主权项】：
一种多用途芯片静电保护方法，其特征在于，所述多用途芯片静电保护方法至少包括：将闲置I/O分布于各种封装的有效I/O中；通过系统设置所述闲置I/O为三态I/O；将所述三态I/O与所述有效I/O一起封装以提高所述有效I/O的静电保护能力，其中，所述有效I/O包括有效I/O引脚、有效电源引脚及有效地引脚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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