[发明专利]一种多用途芯片静电保护方法有效
| 申请号： | 201410790266.0 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104485335B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 费伟斌;肖艳;周柏毓;邹峰 | 申请（专利权）人： | 芯原微电子（上海）有限公司;芯原微电子（北京）有限公司;芯原微电子（成都）有限公司;芯原股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多用途 芯片 静电 保护 方法 | ||
1.一种多用途芯片静电保护方法，其特征在于，所述多用途芯片静电保护方法至少包括：
将闲置I/O分布于各种封装的有效I/O中；
通过系统设置所述闲置I/O为三态I/O；
将输出没有连接关系的所述三态I/O与所述有效I/O连接到同一封装基板焊盘上，以提高所述有效I/O的静电保护能力，其中，所述有效I/O包括有效I/O引脚、有效电源引脚及有效地引脚；
所述三态I/O包括第一PMOS管及第一NMOS管，所述第一PMOS管的源端与栅端连接至电源，所述第一NMOS管的源端与栅端连接至地，所述第一PMOS管的漏端与所述第一NMOS管的漏端相连；
所述有效电源引脚包括连接于电源和地之间的第一静电保护电路；所述第一PMOS管及所述第一NMOS管的漏端与所述第一静电保护电路的电源相连，以实现所述三态I/O对所述有效电源引脚的静电保护；或所述有效地引脚包括连接于电源和地之间的第二静电保护电路；所述第一PMOS管及所述第一NMOS管的漏端与所述第二静电保护电路的地相连，以实现所述三态I/O对所述有效地引脚的静电保护。
2.根据权利要求1所述的多用途芯片静电保护方法，其特征在于：所述有效I/O引脚包括源端连接于电源的第二PMOS管，漏端连接于所述第二PMOS管漏端的第二NMOS管，所述第二NMOS管的源端接地；所述第一PMOS管及所述第一NMOS管的漏端与所述第二PMOS管及所述第二NMOS管的漏端相连，以实现所述三态I/O对所述有效I/O引脚的静电保护。
3.根据权利要求1所述的多用途芯片静电保护方法，其特征在于：所述三态I/O均匀分布于各种封装的有效I/O中，且与需要静电保护的有效I/O相邻设置。
4.根据权利要求1所述的多用途芯片静电保护方法，其特征在于：所述三态I/O与所述有效I/O位于同一电源域。
5.根据权利要求1所述的多用途芯片静电保护方法，其特征在于：所述三态I/O为数字I/O或模拟I/O。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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