[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：在PSS上依次生长低温缓冲层、第一三维层、第一二维层、第二三维层、第二二维层；第一三维层和第二三维层为三维岛状，第一二维层和第二二维层为平面状；第二三维层的生长温度比第一二维层低50-200℃；第二三维层的生长温度比第一二维层低10-50℃，第二三维层的生长压力比第一二维层高，且大于或等于200torr；第二三维层的生长压力比第一二维层高，且大于或等于300torr；第二三维层的生长温度比第一二维层低至少10℃，第二三维层的Ⅴ/Ⅲ比比第一二维层低，且大于200。本发明提高外延材料的晶体质量。

主权项

一种发光二极管外延片的生长方法，所述生长方法包括：在图形化蓝宝石衬底PSS上依次生长低温缓冲层、第一三维层；在第一设定条件下，在所述第一三维层上生长第一二维层；在第二设定条件下，在所述第一二维层上生长第二三维层；在所述第二三维层上生长第二二维层；其中，所述第一三维层和所述第二三维层为三维岛状的Ⅲ族氮化物层，所述第一二维层和所述第二二维层为平面状的Ⅲ族氮化物层；其特征在于，所述第一设定条件和所述第二设定条件满足如下关系中的一种或多种：所述第二设定条件中的生长温度比所述第一设定条件中的生长温度低50‑200℃；所述第二设定条件中的生长温度比所述第一设定条件中的生长温度低10‑50℃，所述第二设定条件中的生长压力比所述第一设定条件中的生长压力高，且所述第二设定条件中的生长压力大于或等于200torr；所述第二设定条件中的生长压力比所述第一设定条件中的生长压力高，且所述第二设定条件中的生长压力大于或等于300torr；所述第二设定条件中的生长温度比所述第一设定条件中的生长温度低至少10℃，所述第二设定条件中的Ⅴ/Ⅲ比比所述第一设定条件中的Ⅴ/Ⅲ比低，且所述第二设定条件中的Ⅴ/Ⅲ比大于200。